为了让该部门能维持并不断扩大业务合作，GF将它拆卸分为一个独立国家部门，并使其需要与其他晶圆代工厂展开合作。GF取名为14LPP的14nm生产工艺最初是为移动SoC和其他一些芯片而设计的，用于了多达13个金属层和9T库。而后GF基于14LPP工艺设计了两种变体，其中14HP生产工艺专门IBM研发，以晶体管密度为代价交换条件更高的性能，用于了多达17个金属层和12T库；12LP生产工艺则可用作还包括AMD CPU、车用芯片等其他领域，用于了13个金属层和7.5T库，比起14LPP，能耗比可提升10％，芯片面积可增加15％。GF将在未来基于14纳米节点获取更加普遍的技术，目前已证实其未来FinFET技术的主要市场为射频芯片和嵌入式存储芯片等低功耗领域。
GF还将利用其在7nm生产工艺上的一些研发经验，之后优化其14/12nm生产工艺，以获取强化的性能和更高的晶体管密度（以降低成本），不过目前Gary Patton不愿透漏任何实际目标。据(公众号：)理解，现有的射频解决方案仍在用于十分领先的工艺生产，如果GF可以顺利将RF功能构建到基于FinFET的芯片中，将比现有的射频解决方案有明显优势。
且除常规射频功能外，GF还计划在芯片中重新加入毫米波无线电功能，而将FinFET技术用作嵌入式存储芯片的生产也尚能归属于世界首次。目前，用于FinFET技术的射频芯片和嵌入式存储芯片仍正处于探寻阶段，GF仍在重新组建新的研发团队，这些项目将最慢于2020年实施，并于2021年转入大规模量产阶段，但在2019年至2020年期间，AMD不会减少对14/12nm工艺的需求量，这似乎将增加GF的收益和利润。
除了研发基于FinFET技术的专业生产工艺外，GF还将之后投资其基于FDX品牌的FD-SOI平台，如22FDX和12FDX。Gary Patton没提早发布FD-SOI生产工艺的任何新版本，但具体回应FDX对GF依然十分最重要，因为GF和三星是唯二可以获取此技术的晶元代工厂。而对于购买并加装在Fab 8晶圆厂中的两台ASML Twinscan NXE EUV光刻机，GF仍未做出任何要求，据报GF期望通过咨询ASML来要求其未来用途。从理论上谈，GF可以利用它们加快原型制作，但由于它们必须类似处置，因此如果无法用作大规模量产的话，白养着这么两台“大爷”并不是一个好主意。
总结仍然以来，GF、三星和台积电都是晶圆代工厂中享有尖端工艺的三驾马车，随着GF的解散，三星和台积电将沦为唯二的自由选择。对于GF来说，此举有利有弊。根据Gartner的调查结果，即便到2022年，用于12nm及更加先进设备工艺生产的芯片也将取得大部分半导体行业收益。
通过解散在尖端工艺领域的竞争，GF凭借为特定客户量身自定义的专业生产工艺，可以更佳地防止必要与三星和台积电竞争，并可以减少研发成本，将EUV工厂的修建时间引顺延2020年以后。虽然看见GF离开了尖端工艺领域令人遗憾，但显而易见的是，GF在与三星和台积电的竞赛中展现出出有的弱势，让管理层不不愿之后承担风险。因此，发展获取专业生产工艺有可能是GF更佳，甚至是唯一的自由选择。
而关于GF如何研发和管理多项新的生产工艺，以及否能招募充足多的新业务订单空缺AMD“深爱”有可能导致的Fab 8生产能力空虚，尚能必须一些时间来仔细观察。所附：GF新闻稿涉及文章：详尽理解7nm制程，看半导体巨头如何拼成了老命为摩尔定律延寿原创文章，予以许可禁令刊登。下文闻刊登须知。
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